IRLML2246

Hottech
IRLML2246 MOSFET (P-CHANNEL) FEATURES  VDS=-20V, ID=-2.6A, RDS(ON)<135mΩ@VGS=-4.5V  Fast switching  Ultra Low On-Resistance  Surface Mount device SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-s...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRLML2246 (YOUTAI)
 
— 20 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRLML2246 (EVVO)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IRLML2246 MOSFET (P-CHANNEL) FEATURES  VDS=-20V, ID=-2.6A, RDS(ON)<135mΩ@VGS=-4.5V  Fast switching  Ultra Low On-Resistance  Surface Mount device SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage TA=25°C Continuous drain current TA=70°C Pulsed drain current (Note 1) TA=25°C Power dissipation TA=70°C Linear Derating Factor Thermal resistance from Junction to ambient Storage and Junction temperature Symbol VDS VGS ID IDM PD RθJA* TJ,TSTG Value -20 ±12 -2.6 -2.1 -11 1.3 0.8 0.01 100 -55 ~+150 Unit V V A A W W/°C °C/W °C *Surface mounted on 1 in square Cu board ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions V(BR)DSS -20 V VGS=0V, ID=-250μA Drain-Source breakdown voltage -1 Zero gate voltage drain current IDSS μA VDS=-16V, VGS=0V -150 VDS=-16V, VGS=0V,Tj=125°C Gate-body leakage current IGSS ±100 nA VDS=0V, VGS=±16V Gate-threshold voltage (note 1) VGS(th) -0.4 -1.1 V VDS=VGS, ID=-10μA 90 135 mΩ VGS=-4.5V, ID=-2.6A Drain-source on-resistance(note 1) RDS(ON) 157 236 mΩ VGS=-2.5V, ID=-2.1A Internal Gate Resistance RG 16 Ω Forward transconductance(note 1) gFS 3.4 S VDS=-10V, ID=-2.6A Input capacitance Ciss 220 pF VDS=-16V, VGS=0V, f=1MHz Output capacitance Coss 70 pF Reverse transfer capacitance Crss 48 pF Turn-on delay time td(on) 5.3 nS VDD=-10V,ID=-1A, Turn-on rise time tr 7.7 nS RG=6.8Ω,VGS=-4.5V Turn-off delay time td(off) 26 nS Turn-off fall time tf 16 nS Qg Total gate charge 2.9 nC Qgs VDS=-10V,VGS=-4.5V,ID=-2.6A 0.52 nC Gate-source charge Qgd Gate-drain charge 1.2 nC integral reverse Diode forward current(Body Diode) IS -1.3 A p-n junction diode. ISM -11 A Pulsed Source Current(Body Diode) Diode forward voltage (note 1) VSD -1.2 V IS=-2.6A, VGS=0V,Tj=25°C Reverse Recovery Time trr 17 26 nS TJ=25°C,VR=-15V,IF=-2.6A, Reverse Recovery Charge Qrr 6.2 9.3 nC di/dt=100A/μs Note:1. Pulse test ; Pulse width ≤400µs, Duty cycle ≤ 2% . ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/6 PDF
Документация на IRLML2246 

Дата модификации: 25.09.2019

Размер: 751.9 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)