SI2301

Hottech
SI2301 LOW VOLTAGE MOSFET (P-CHANNEL) FEATURES  RDS(ON)≤ 85 mΩ@VGS=-4.5V,ID=-3.0A RDS(ON)≤115mΩ@VGS=-2.5V,ID=-1.0A  Low on-resistance  For low power DC to DC converter and load switch applications  Surface mount device SOT-23 MECHANICAL DATA  Case: SOT-23  Case material: Molded plastic. UL flammability  Classification rating: 94V-0  Terminal: Tin plated, solderable per MIL-STD-750,me...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
SI2301 LOW VOLTAGE MOSFET (P-CHANNEL) FEATURES  RDS(ON)≤ 85 mΩ@VGS=-4.5V,ID=-3.0A RDS(ON)≤115mΩ@VGS=-2.5V,ID=-1.0A  Low on-resistance  For low power DC to DC converter and load switch applications  Surface mount device SOT-23 MECHANICAL DATA  Case: SOT-23  Case material: Molded plastic. UL flammability  Classification rating: 94V-0  Terminal: Tin plated, solderable per MIL-STD-750,method 2026  Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-source voltage VDS - 20 V Gate-source voltage VGS ±8 V - 3.0 A - 2.5 A - 2.3 A - 1.8 A - 10 A - 1.3 A - 0.72 A 1.6 W 1.0 W 0.86 W 0.55 W -55 ~ +150 °C TC=25°C Continuous drain current (TJ =150°C) TC=70°C ID TA=25°C (note 2,3) TA=70°C (note 2,3) Pulsed drain current Continuous source-drain diode current IDM TC=25°C IS TA =25°C (note 2,3) TC=25°C Maximum power dissipation TC=70°C PD TA=25°C (note 2,3) TA=70°C (note 2,3) TJ, Tstg Operating junction and storage temperature range Thermal resistance,junction-to-ambient@ t≤5s RthJA Typ.:120 Max.:145 °C/W Thermal resistance,junction-to-foot, (Drain)@ Steady state RthJF Typ.:62 Max.:78 °C/W Note: 1. Based on TC = 25 °C. 2. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board. 3. t = 5s. 4. Maximum under Steady State conditions is 175°C/W. ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/6 PDF
Документация на SI2301 

Subject:

Дата модификации: 09.01.2020

Размер: 338.7 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    22 июня
    статья

    30 лет на рынке силовой электроники: продукция Hottech для промышленности и электромобилей

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ), Сергей Сотников (КОМПЭЛ) Shenzhen Hottech Electronics Co., Ltd. (торговая марка HKT) – китайский производитель силовых полупроводников и пассивных компонентов, основанный в 1992 году. Штаб–квартира расположена в... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)