SI2305

Hottech
SI2305 LOW VOLTAGE MOSFET (P-CHANNEL) FEATURES VDS=-20V,RDS(ON)≤42mΩ@VGS=-4.5V,ID=-5A Low on-resistance For DC to DC converter and Load switch applications Surface Mount device     SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Pa...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WM01P41M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
F~ SI2333DS-T1-GE3 (VBSEMI)
 
SOT-23-3 в ленте 200 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
SI2305 LOW VOLTAGE MOSFET (P-CHANNEL) FEATURES VDS=-20V,RDS(ON)≤42mΩ@VGS=-4.5V,ID=-5A Low on-resistance For DC to DC converter and Load switch applications Surface Mount device     SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage Continuous drain current Continuous source-drain diode current Power dissipation Symbol Value VDS -20 VGS ±10 ID -5 IS -0.8 PD 0.35 RθJA Thermal resistance from Junction to ambient (t≤10s) 357 Junction temperature 150 TJ -55 ~+150 Storage temperature TSTG ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions V(BR)DSS -20 V Drain-Source breakdown voltage VGS=0V, ID=-250μA IDSS -1 Zero gate voltage drain current uA VDS=-10V , VGS=0V IGSS ±100 nA VDS=0V, VGS=±10V Gate-body leakage current VGS(th) -0.4 -0.65 -1.0 V VDS=VGS, ID=-250μA Gate-threshold voltage (note 1) Drain-source on-resistance (note 1) RDS(ON) Forward transconductance (note 1) Gate resistance Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance Turn-on delay time Turn-on rise time Turn-off delay time Turn-off fall time Turn-on delay time Turn-on rise time Turn-off delay time Turn-off fall time gFS Rg Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf td(on) tr td(off) tf Total gate charge Qg Gate-source charge Gate-drain charge Diode forward voltage Diode forward current Pulse diode forward current(note 1) Qgs Qgd VSD IS ISM 1.4 32 42 mΩ VGS=-4.5V, ID=-5A 42 6 7 740 290 190 13 35 32 10 5 11 22 16 7.8 4.5 1.2 1.6 60 mΩ S Ω pF pF pF nS nS nS nS nS nS nS nS nC nC nC nC V A A VGS=-2.5V, ID=-3A VDS=-5V, ID=-5A f=1MHz Note:1. Pulse test ; Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤ 2% . ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD 14 20 53 48 20 10 17 33 24 15 9 -1.2 -1.4 -10 E-mail:hkt@heketai.com Unit V V A A W °C/W °C °C VDS=-4V, VGS=0V, f=1MHz VDD=-4V,ID≈-3.3A, VGEN=-4.5V,Rg=1Ω,RL=1.2Ω VDD=-4V,ID≈-3.3A, VGEN=-8V,Rg=1Ω,RL=1.2Ω VDS=-4V,VGS=-4.5V,ID=-5A VDS=-4V,VGS=-2.5V,ID=-5A IF=- 5 A, VGS=0V TC = 25°C 1/5 PDF
Документация на SI2305 

Subject:

Дата модификации: 14.03.2019

Размер: 474.3 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WMJ25N80M3 (WAYON)