JMGG010V04A

JIEJIE
JMGG010V04A Description JMG N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features Application  40V,200A RDS(ON)< 1.0mΩ @ VGS = 10V RDS(ON)< 1.6mΩ @ VGS = 4.5V  Load Switch  PWM Application  Power management  Advanced Split Gate Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired PDFN5x6-8L 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assign...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSL0401BG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0401BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0401BG (JIEJIE)
 
—
 
 — — — —
A+ JMSL0401AG (JIEJIE)
 
—
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMGG010V04A Description JMG N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features Application  40V,200A RDS(ON)< 1.0mΩ @ VGS = 10V RDS(ON)< 1.6mΩ @ VGS = 4.5V  Load Switch  PWM Application  Power management  Advanced Split Gate Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired PDFN5x6-8L 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) G010V04A JMGG010V04A TAPING PDFN5x6-8L 13inch 2500 25000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage 40 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V TC = 25℃ 200 A TC = 100℃ 130 A 800 A 420 mJ 68 W 1.84 ℃/W -55 to +150 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current note1 EAS Single Pulsed Avalanche Energy PD Power Dissipation RθJC TJ, TSTG note2 TC = 25℃ Thermal Resistance, Junction to Case Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd Version :1.1 -1- PDF
Документация на JMGG010V04A 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 25.11.2024

Размер: 384 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    17 мая 2024
    новость

    Компоненты JIEJIE для приводов бесколлекторных электродвигателей

    Бесщеточный двигатель постоянного тока (BLDC) преодолевает неискоренимый недостаток коллекторного двигателя постоянного тока – трение щеток. Вместо них используется вращающееся магнитное поле, создаваемое обмотками статора, чьи фазы поочередно... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)