JMH65R290AEFDQ-13

JMH65R290AEFDQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter • Extremely Low Gate Charge • Excellent Output Capacitance (Coss) Profile • Fast Switching Capability • Ultra Fast Body Diode • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Value Unit VDS 650 V VGS(th)_Typ 3.5 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 12.0 A 259 m Eoss@400V 4.59 J • Pb-free Lead Pl...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CRJF190N65G2BF (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK20N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 

Файлы 1

показать свернуть
JMH65R290AEFDQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter • Extremely Low Gate Charge • Excellent Output Capacitance (Coss) Profile • Fast Switching Capability • Ultra Fast Body Diode • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Value Unit VDS 650 V VGS(th)_Typ 3.5 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 12.0 A 259 m Eoss@400V 4.59 J • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant • AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications Applications • Unidirectional and bidirectional DC-DC converters • On-Board battery Chargers TO-263-3L Top View D D G G S S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) JMH65R290AEFDQ-13 TO-263-3L 3 H65R290AF 1 -55 to 150 13-inch Reel 800 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 650 V Gate-to-Source Voltage VGS ±25 V Parameter Continuous Drain Current (1) TC = 25°C Pulsed Drain Current (2) 12.0 ID TC = 100°C A 8.0 IDM 48 Avalanche Current (3) IAS 7.5 A Avalanche Energy (3) EAS 281 mJ Power Dissipation (4) TC = 25°C 31 PD TC = 100°C -55 to 150 RDS(ON) vs. VGS Gate Charge VDS = 10V ID = 7.5A 8 0.6 6 VGS (V) 0.8 0.4 ID = 7.5A 4 2 0.2 0 0 0 5 10 15 20 0 5 10 15 20 25 Qg (nC) VGS (V) Rev 1.0 °C 10 1 RDS(ON) () W 13 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 5 PDF
Документация на JMH65R290AEFDQ-13 

JMH65R290AEFDQ_Rev1.0.xlsx

Дата модификации: 12.05.2023

Размер: 326.4 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.