JMSH0401AGQ-13

JIEJIE
JMSH0401AGQ 40V 1.3mΩ N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter • Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) • Low Gate Charge, Qg • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating Value Unit VDS 40 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 197 A 1.3 mΩ • Halogen-free and RoHS-compliant • AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN5x6-8L Pin Co...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMSH0401AGQ 40V 1.3mΩ N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter • Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) • Low Gate Charge, Qg • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating Value Unit VDS 40 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 197 A 1.3 mΩ • Halogen-free and RoHS-compliant • AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN5x6-8L Pin Configuration Top View Bottom View Top View D 1 8 2 7 3 6 4 5 G S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) JMSH0401AGQ-13 PDFN5x6-8L 8 SH0401AQ 1 -55 to 175 13-inch Reel 5000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 40 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current (1) TC = 25°C 197 ID TC = 100°C A 139 Pulsed Drain Current (2) IDM 748 Avalanche Current (3) IAS 36 A Avalanche Energy (3) EAS 194 mJ Power Dissipation (4) TC = 25°C 136 PD TC = 100°C -55 to 175 RDS(ON) vs. VGS °C Gate Charge 10 10 ID = 20A VDS = 20V 8 8 6 6 VGS (V) RDS(ON) (mΩ) W 68 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A 4 2 ID = 20A 4 2 0 0 0 5 10 15 20 0 10 Rev. 2.5 20 30 40 50 Qg (nC) VGS (V) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 6 PDF
Документация на JMSH0401AGQ-13 

JMSH0401AGQ_Rev2.5.xlsx

Дата модификации: 27.12.2022

Размер: 369.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)