JMSH0401ATLQ-13

JMSH0401ATLQ 40V 1.0m TOLL N-Ch Power MOSFET Features Product Summary • Ultra‐low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit • Low Gate Charge, Qg VDS 40 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (2) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 337 A 1.0 m • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant • AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PowerJE®10x...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0401ATSQ-13 (JIEJIE)
 
2000 шт
 
A+ JMSH040SAGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL040SAG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ NCEP40T35ALL (NCE)
 
15 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть
JMSH0401ATLQ 40V 1.0m TOLL N-Ch Power MOSFET Features Product Summary • Ultra‐low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit • Low Gate Charge, Qg VDS 40 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (2) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 337 A 1.0 m • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant • AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PowerJE®10x12 Top PowerJE®10x12 Bottom Drain Tab Gate Pin 1 S Pin 1 G Source Pin 1 Pins 2‐8 Ordering Information Device Package JMSH0401ATLQ-13 ® PowerJE 10x12 (1) # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) 8 SH0401A 1 -55 to 175 13-inch Reel 2000 Note 1: PowerJE® is a registered trademark of JieJie Micro., its package outline is compatible to that of TO-LeadLess (TOLL). Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 40 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Parameter Continuous Drain Current (2) TC = 25°C 337 ID TC = 100°C A 238 Pulsed Drain Current (4) IDM 1349 Avalanche Current (5) IAS 46 A Avalanche Energy (5) EAS 317 mJ Power Dissipation (6) TC = 25°C 300 PD TC = 100°C W 150 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A -55 to 175 RDS(ON) vs. VGS Gate Charge 3.0 10 VDS = 20V ID = 20A 2.5 ID = 20A 8 2.0 VGS (V) RDS(ON) (m) °C 1.5 6 4 1.0 2 0.5 0.0 0 0 5 10 15 20 0 Rev.1.1 20 40 60 80 Qg (nC) VGS (V) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 6 PDF
Документация на JMSH0401ATLQ-13 

JMSH0401ATLQ_Rev1.1.xlsx

Дата модификации: 20.07.2022

Размер: 383.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.