JMSH0601ATL-13

JMSH0601ATL 60V 1.2m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features • Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit • Low Gate Charge, Qg VDS 60 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (2) 348 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.2 m • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant Applications • Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Co...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGHSOF8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JMSH0601ATL 60V 1.2m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features • Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit • Low Gate Charge, Qg VDS 60 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (2) 348 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.2 m • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant Applications • Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications • Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems • Load Switching, Quick/Wireless Charging, Motor Driving PowerJE®10x12 Top PowerJE®10x12 Bottom Drain Tab Gate Pin 1 S Pin 1 G Ordering Information Device Package JMSH0601ATL-13 ® PowerJE 10x12 (1) Source Pin 1 Pins 2‐8 # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) 8 SH0601A 1 -55 to 175 13-inch Reel 2000 Note 1: PowerJE® is a registered trademark of JieJie Micro., its package outline is compatible to that of TO-LeadLess (TOLL). Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 60 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Parameter Continuous Drain Current (2) TC = 25°C 348 ID TC = 100°C A 246 Pulsed Drain Current (3) IDM 1392 Avalanche Current (4) IAS 40 A Avalanche Energy (4) EAS 480 mJ Power Dissipation (5) TC = 25°C 375 PD TC = 100°C W 188 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A -55 to 175 °C RDS(ON) vs. VGS Gate Charge 3.6 10 VDS = 30V ID = 20A ID = 20A 8 2.4 VGS (V) RDS(ON) (m) 3.0 1.8 6 4 1.2 2 0.6 0.0 0 0 5 10 15 20 0 20 Rev. 1.2 40 60 80 100 120 Qg (nC) VGS (V) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 6 PDF
Документация на JMSH0601ATL-13 

JMSH0601ATL_Rev1.2.xlsx

Дата модификации: 30.05.2022

Размер: 381.7 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.