JMSH2010PE-13

JIEJIE
JMSH2010PC JMSH2010PE 200V 7.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary • Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter • Low Gate Charge, Qg • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating Value Unit VDS 200 V VGS(th)_Typ 3.0 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 135 A 7.6 m • Halogen-free and RoHS-compliant Applications • Power Management in Computing, CE, IE ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JMSH2010PC JMSH2010PE 200V 7.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary • Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter • Low Gate Charge, Qg • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating Value Unit VDS 200 V VGS(th)_Typ 3.0 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 135 A 7.6 m • Halogen-free and RoHS-compliant Applications • Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications • Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems • Load Switching, Quick/Wireless Charging, Motor Driving TO-220-3L Top View TO-263-3L Top View D D G G D G S S S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media JMSH2010PC-U TO-220-3L 3 SH2010P NA -55 to 150 Tube 50 JMSH2010PE-13 TO-263-3L 3 SH2010P 1 -55 to 150 13-inch Reel 800 Quantity (pcs) Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 200 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V TC = 25°C Continuous Drain (1) Current ID TC = 100°C Pulsed Drain Current (2) Avalanche Energy (3) Power Dissipation (4) 135 TC = 25°C IDM 256 A EAS 1094 mJ 416 PD TC = 100°C -55 to 150 10 20 VDS = 100V ID = 20A 8 VGS (V) 15 10 5 ID = 20A 6 4 2 0 0 0 5 10 15 20 0 30 60 90 120 150 Qg (nC) VGS (V) Advanced °C Gate Charge RDS(ON) vs. VGS RDS(ON) (m) W 166 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A 85 Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 6 PDF
Документация на JMSH2010PC-U 

JMSH2010PC(E)_Advanced.xlsx

Дата модификации: 12.05.2023

Размер: 364.7 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)