JMSL0406AGDQ-13

JIEJIE
JMSL0406AGDQ 40V 5.5mΩ Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit VDS 40 V VGS(th)_Typ 1.6 V 49 A • Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.5 mΩ • Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 7.0 mΩ • Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) • Low Gate Charge, Qg • 100% UIS and Rg Tested • AEC-Q101 Qualified for...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0406AGDQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMSL0406AGDQ 40V 5.5mΩ Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit VDS 40 V VGS(th)_Typ 1.6 V 49 A • Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.5 mΩ • Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 7.0 mΩ • Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) • Low Gate Charge, Qg • 100% UIS and Rg Tested • AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN5x6-8L-D Top View Pin Configuration Bottom View Chip-1 & Chip-2 Top View D1 G1 D2 G2 S2 S1 Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) JMSL0406AGDQ-13 PDFN5x6-8L-D 8 L0406AD 1 -55 to 175 13-inch Reel 5000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 40 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current (1) TC = 25°C 49 ID TC = 100°C A 35 Pulsed Drain Current (2) IDM 166 Avalanche Current (3) IAS 27 A Avalanche Energy (3) EAS 36 mJ Power Dissipation (4) TC = 25°C 29 PD TC = 100°C W 14.7 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A -55 to 175 RDS(ON) vs. VGS Gate Charge 20 10 ID = 20A VDS = 20V 16 8 12 6 VGS (V) RDS(ON) (mΩ) °C 8 4 ID = 20A 4 2 0 0 2 4 6 8 10 0 4 Rev. 2.3 8 12 16 20 Qg (nC) VGS (V) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 6 PDF
Документация на JMSL0406AGDQ-13 

JMSL0406AGDQ_Rev2.3.xlsx

Дата модификации: 27.12.2022

Размер: 340.9 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)