Вход / Регистрация

JMSL1008AUN-13

JIEJIE
JMSL1008AUN 100V 7.4m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit VDS 100 V VGS(th)_Typ 1.8 V 36 A • Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.4 m • Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 9.1 m • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Applications • Power Management in Co...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJF50G10H (YJ)
 
ITO220AB в линейках 50 шт — —
A+ NCEP0160AG (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ LN7616DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ NCEP095N10AG (NCE)
 
— в ленте 50 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP090N10GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ YJP70G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — —
A+ WML080N10HG2 (WAYON)
 
TO220F
 
 — — — — — —
A+ WMB099N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 3000 шт
 
 — — —
A+ YJB70G10B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — —
A+ YJB70G10A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
 — —
A+ YJP70G10A (YJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
 — —
A+ YJG60G10B (YJ)
 
—
 
 — —
A+ WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WML099N10HGS (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ LN96N10D2 (LRC)
 
TO252
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMSL1008AUN 100V 7.4m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit VDS 100 V VGS(th)_Typ 1.8 V 36 A • Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.4 m • Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 9.1 m • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Applications • Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications • Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems • Load Switching, Quick/Wireless Charging, Motor Driving DFN3333-8L Pin Configuration Top View Bottom View Bottom View D 5 D 6 D 7 D D 8 G 4 G 3 S 2 S 1 S S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) JMSL1008AUN-13 DFN3333-8L 8 SL1008A 1 -55 to 150 13-inch Reel 5000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 100 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Parameter Continuous Drain Current (1) TC = 25°C Pulsed Drain Current (2) 36 ID TC = 100°C A 23 IDM 132 Avalanche Current (3) IAS 29 A Avalanche Energy (3) EAS 122 mJ Power Dissipation (4) TC = 25°C 23 PD TC = 100°C Junction & Storage Temperature Range W 9.3 -55 to 150 TJ, TSTG 10 ID = 20A VDS = 50V 8 24 6 VGS (V) 32 16 8 ID = 20A 4 2 0 0 0 4 8 12 16 20 0 8 VGS (V) Rev. 1.2 °C Gate Charge RDS(ON) vs. VGS 40 RDS(ON) (m) A 16 24 32 40 Qg (nC) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 5 PDF
Документация на JMSL1008AUN-13 

JMSL1008AUN_Rev1.2.xlsx

Дата модификации: 27.12.2022

Размер: 346.9 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)