WML080N10HG2

WAYON
WML080N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML080N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is GD S well suited for high efficiency fast switching performance. TO-220F Features  VDS= 100V, ID = 42A RDS(on) <...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WML080N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML080N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is GD S well suited for high efficiency fast switching performance. TO-220F Features  VDS= 100V, ID = 42A RDS(on) < 8.8mΩ @ VGS = 10V  Green Device Available  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed D RoHS compliant Applications G  Hard Switching and High Speed Circuit  DC/DC Conversion  Synchronous Rectification S Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source voltage VDS 100 V Gate-Source voltage VGS ±20 V 42 TC=25℃ ID Continuous Drain Current Pulsed Drain Current4 A 29 TC=100℃ IDM 168 A EAS 135.2 mJ PD 28.4 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 RθJA 61 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 4.4 °C/W Single Pulse Avalanche Energy3 Total Power Dissipation TC=25℃ Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.4.0, 2021 Doc:W0803330 1/7 PDF
Документация на WML080N10HG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 26.10.2022

Размер: 871.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)