JMTE025N04D

JIEJIE
JMTE025N04D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  40V, 190A RDS(ON) < 2.6mΩ @ VGS = 10V  Load Switch  PWM Application  Power Management  Advanced Trench Technology  Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free TO-263-3L top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJP180G04C (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ JMTC025N04D (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
 — — — —
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTE025N04D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  40V, 190A RDS(ON) < 2.6mΩ @ VGS = 10V  Load Switch  PWM Application  Power Management  Advanced Trench Technology  Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free TO-263-3L top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package Reel Size Reel (pcs) Per Carton (pcs) JMTE025N04D JMTE025N04D TAPING TO-263-3L 13” 800 4000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage 40 V VGSS Gate-Source Voltage ±25 V TC = 25℃ 190 A TC = 100℃ 124 A 760 A 576 mJ 197 W 0.76 ℃/W -55 to +175 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current note1 EAS PD RθJC TJ, TSTG Single Pulsed Avalanche Power Dissipation Energy note2 TC = 25℃ Thermal Resistance, Junction to Case Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics Co.,Ltd Version :1.2 -1- PDF
Документация на JMTE025N04D 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 03.03.2023

Размер: 380.9 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)