JMTG100C03D

JIEJIE
JMTG100C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application  N-Channel: 30V, 12A RDS(ON) < 12mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) < 17.8mΩ @ VGS = 4.5V  Battery Protection  Load Switch  Power Management  P-Channel: -30V, -10A RDS(ON) < 26.3mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 40.3mΩ @ VGS = -4.5V 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED!  Excellent Gate Charge x RDS(ON) Pr...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JMTG100C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application  N-Channel: 30V, 12A RDS(ON) < 12mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) < 17.8mΩ @ VGS = 4.5V  Battery Protection  Load Switch  Power Management  P-Channel: -30V, -10A RDS(ON) < 26.3mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 40.3mΩ @ VGS = -4.5V 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED!  Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM)  Very Low On-resistance RDS(ON)  Fast Switching Speed PDFN5x6-8L-D Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package Reel Size Reel (pcs) Per Carton (pcs) G100C03D JMTG100C03D TAPING PDFN5x6-8L-D 13” 2500 25000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. N-Channel Max. P-Channel Units VDSS Drain-Source Voltage 30 -30 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 ±20 V TC = 25℃ 12 -10 A TC = 100℃ 7.8 -6.5 A 48 -40 A 42 36 mJ 3.2 4.3 W 39 29 ℃/W ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current note1 EAS Single Pulsed Avalanche Energy PD Power Dissipation RθJC TJ, TSTG note2 TC = 25℃ Thermal Resistance, Junction to Case Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics Co., Ltd. -55 to +150 ℃ Version :1.2 -1- PDF
Документация на JMTG100C03D 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 18.10.2022

Размер: 533.6 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)