JMTG120C03D
JMTG120C03D
Description
JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features
Application
N-Channel: 30V, 11.5A
RDS(ON) <12mΩ @ VGS = 10V
RDS(ON) <19mΩ @ VGS = 4.5V
Battery Protection
Load Switch
Power Management
P-Channel: -30V, -11.5A
RDS(ON) < 24mΩ @ VGS = -10V
RDS(ON) < 39mΩ @ VGS = -4.5V
100% UIS TESTED!
100% ΔVds TESTED!
Excellent Gate Charge x RDS(ON) Produc...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 2500 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L5X6 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Заряд затвора | ||
| Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMTG120C03D
Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:
Дата модификации: 25.10.2021
Размер: 510.6 Кб
10 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.