JMTG120C03D

JMTG120C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application  N-Channel: 30V, 11.5A RDS(ON) <12mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) <19mΩ @ VGS = 4.5V  Battery Protection  Load Switch  Power Management  P-Channel: -30V, -11.5A RDS(ON) < 24mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 39mΩ @ VGS = -4.5V 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED!  Excellent Gate Charge x RDS(ON) Produc...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.