JMTK2006A

JIEJIE
JMTK2006A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  Applications 20V, 60A RDS(ON) < 6.2mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) < 8.5mΩ @ VGS = 2.5V     Load Switch PWM Application  Power Management  Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Lead Free D G S TO-252-3L(DPAK) Top View Schematic Diagram Ma...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO60N02T1 (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — — — —
A+ WMB90N02TS (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMO90N02T1 (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTK2006A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  Applications 20V, 60A RDS(ON) < 6.2mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) < 8.5mΩ @ VGS = 2.5V     Load Switch PWM Application  Power Management  Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Lead Free D G S TO-252-3L(DPAK) Top View Schematic Diagram Marking and Pin Assignment Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package JMTK2006A JMTK2006A TAPING TO-252-3L Reel Size Reel(pcs) 13" 2500 Per Carton (pcs) 25000 Absolute Maximum Ratings (@ TC = 25°C unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-to-Source Voltage 20 V VGS Gate-to-Source Voltage ±12 V ID IDM EAS PD Continuous Drain Current TC = 25°C 60 TC = 100°C 38 Pulsed Drain Current (1) Single Pulsed Avalanche Energy Power Dissipation 240 A (2) 64 mJ TC = 25°C 37 W (3) RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 32 RθJC Thermal Resistance, Junction to Case 3.4 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range -55 to 150 JieJie Microelectronics Co., Ltd A 1 °C/W °C Version：1.2 PDF
Документация на JMTK2006A 

Дата модификации: 23.04.2023

Размер: 1.09 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)