JMTL3415KL

JIEJIE
JMTL3415KL Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS = -20V, ID = -4.1A RDS(ON) <40mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) <56mΩ @ VGS = -2.5V      PWM Applications  Load Switch  Power Management Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired ESD Rating: HBM 2.0KV SOT-23 top view Marking and pin Assign...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJ2321A (JSCJ)
 
SOT-23-3 10 шт
 
 — — ± — — — — —
P- YJL2305B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- WM02P41M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- IRLML2244TR (YOUTAI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE2305 (NCE)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — —
P- CRTJ380P02U2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
 — — —
P- WM02P30ME (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTL3415KL Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS = -20V, ID = -4.1A RDS(ON) <40mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) <56mΩ @ VGS = -2.5V      PWM Applications  Load Switch  Power Management Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired ESD Rating: HBM 2.0KV SOT-23 top view Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) 3415KL JMTL3415KL TAPING SOT-23 7inch 3000 120000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage -20 V VGSS Gate-Source Voltage ±10 V ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current note1 PD Power Dissipation RθJA TJ, TSTG TA = 25℃ -4.1 TA = 100℃ -2.7 A -16.4 A TA = 25℃ 1.1 W Thermal Resistance, Junction to Ambient 114 ℃/W -55 to +150 ℃ Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd Version 1.1 -1- PDF
Документация на JMTL3415KL 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 08.04.2022

Размер: 389.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)