JMTQ170C04D
JMTQ170C04D
Description
JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features
Application
N-Channel: 40V, 14A
RDS(ON) < 22mΩ @ VGS = -10V
RDS(ON) < 28mΩ @ VGS = -4.5V
Battery Protection
Load Switch
Power Management
P-Channel: -40V, -14A
RDS(ON) < 50mΩ @ VGS = -10V
RDS(ON) < 70mΩ @ VGS = -4.5V
100% UIS TESTED!
100% ΔVds TESTED!
Excellent Gate Charge x RDS(ON) Produc...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L3X3
- Норма упаковки: 5000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PDFN8L3X3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMTQ170C04D
Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:
Дата модификации: 16.08.2022
Размер: 605 Кб
11 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.