2N7002DW K72

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs 2N7002DW Dual N-channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOT-363 5Ω@10V 60 V 115mA 6  7Ω@5V 5 4 1 2 3 APPLICATION z Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter FEATURE High density cell design for low RDS(ON) z Voltage controlled small signal switch z Rugged and reliable z High saturation ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT-363
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs 2N7002DW Dual N-channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOT-363 5Ω@10V 60 V 115mA 6  7Ω@5V 5 4 1 2 3 APPLICATION z Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter FEATURE High density cell design for low RDS(ON) z Voltage controlled small signal switch z Rugged and reliable z High saturation current capability z Equivalent Circuit MARKING MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Unit Value VDS Drain-Source voltage 60 V VGS Gate-Source voltage ±20 V ID Drain Current 115 mA PD Power Dissipation 150 mW RӨJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 833 ℃/W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55-150 ℃ www.jscj-elec.com 1 Rev - 1.0 PDF
Документация на 2N7002DW 

Author: Administrator

Дата модификации: 13.01.2022

Размер: 1.13 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)