2SK3018 SOT-23
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS
2SK3018
N-channel MOSFET
V(BR)DSS
ID
RDS(on)MAX
SOT-23
8Ω@4V
30 V
100mA
13Ω@2.5V
1. GATE
2. SOURCE
3. DRAIN
APPLICATION
Interfacing , Switching
FEATURE
Low on-resistance
z
Fast switching speed
z
Low voltage drive makes this device ideal for
Portable equipment
z
z
z
z
Easily designed drive circu...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-23-3
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-23-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | 2SK3018 (VBSEMI) 2SK3018 SOT-23 (JSCJ) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на 2SK3018 SOT-23
Microsoft Word - 2SK3018_SOT-23_.doc
Дата модификации: 08.09.2021
Размер: 560.3 Кб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.