BC847PN

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors BC847PN DUAL TRANSISTOR (NPN+PNP) SOT-363 FEATURES z Epitaxial Die Construction z Two isolated NPN/PNP(BC847W+BC857W) Transistors in one package MAKING: 7P MAXIMUM RATINGS TR1 (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter V...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC847S (JSCJ)
 

BC847S (ONS-FAIR)
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN
P= BC847PN (YJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 45000 шт
 
P= BC846BPN (YJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
P= LBC847BPDW1T1G (LRC)
 
SOT-323-6 sot363 9820 шт
 
A+ BC847BVN (JSCJ)
 
SOT-563 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors BC847PN DUAL TRANSISTOR (NPN+PNP) SOT-363 FEATURES z Epitaxial Die Construction z Two isolated NPN/PNP(BC847W+BC857W) Transistors in one package MAKING: 7P MAXIMUM RATINGS TR1 (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current –Continuous 0.1 A PC Collector Power Dissipation 200 mW TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150 ℃ CHARACTERISTICS of TR1 (NPN Transistor) (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=10μA,IE=0 50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=10mA,IB=0 45 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=1μA,IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=30V,IE=0 15 nA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V,IC=0 15 nA DC current gain hFE VCE=5V,IC=2mA Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Collector output capacitance Transition frequency Noise figure www.jscj-elec.com 200 450 VCE(sat) IC=10mA,IB=0.5mA 0.25 V VCE(sat) IC=100mA,IB=5mA 0.6 V VBE(sat) IC=10mA,IB=0.5mA 0.7 V VBE(sat) IC=100mA,IB=5mA 0.9 V VBE(on) VCE=5V,IC=2mA VBE(on) Cob fT NF 0.7 V VCE=5V,IC=10mA 0.72 V VCB=10V,IE=0,f=1MHz 6.0 pF VCE=5V,IC=10mA,f=100MHz VCE=5V,Ic=0.2mA, f=1kHz,Rg=2KΩ,∆f=200Hz 1 0.58 100 MHz 10 dB Rev. - 2.0 PDF
Документация на BC847PN 

Microsoft Word - BC847PN_SOT-363_.doc

Дата модификации: 30.06.2020

Размер: 1.37 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    30 января
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.