BCP51

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors BCP51,52,53 TRANSISTOR (PNP) SOT-223 FEATURES z z z z For AF driver and output stages High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCP54...BCP56 (NPN) 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) BCP51 BCP52 BCP53 Coll...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC858B (YJ)
 

BC858B (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858C (YJ)
 

BC858C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ S9012 (JSCJ)
 
TO-92-3 1000 шт
 
 — — — —
A+ S9012-G (JSCJ)
 
— 1500 шт — — — —
A+ BC858AT (YJ)
 
SOT-523
 
 — — — —
A+ BC858AW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858AWQ (YJ)
 
SOT-323-3 — — — —
A+ BC858BQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ BC858BT (YJ)
 
SOT-523
 
 — — — —
A+ BC858BW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858BWQ (YJ)
 
SOT-323-3 — — — —
A+ BC858CQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ BC858CT (YJ)
 
SOT-523
 
 — — — —
A+ BC858CWQ (YJ)
 
SOT-323-3 — — — —
A+ S8550-H (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ S8550-HQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ S8550-L (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ S8550-LQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ S9012 (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ S9012-H (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ 2SB1188-Q (YJ)
 
SOT-89
 
 — — — —
A+ 2SB1188-R (YJ)
 
SOT-89
 
 — — — —
A+ BC858A (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858AQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors BCP51,52,53 TRANSISTOR (PNP) SOT-223 FEATURES z z z z For AF driver and output stages High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCP54...BCP56 (NPN) 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) BCP51 BCP52 BCP53 Collector-Base Voltage -45 -60 -100 V VCEO Collector-Emitter Voltage -45 -60 -80 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -1 A ICM Peak Pulse Collector Current -2 A IB Base Current-Continuous -100 mA IBM Peak Pulse Base Current -200 mA PC Collector Power Dissipation 1.5 W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range RθJA Thermal Resistance Junction to Ambient Symbol Parameter VCBO Unit -55~+150 ℃ ℃/W 94 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Collector-base breakdown voltage Min V(BR)CBO IC=- 0.1mA,IE=0 -100 BCP51 -45 V(BR)CEO IC= -10mA,IB=0 -5 VCB= -30 V, IE 0 ICBO= hFE(2) VCE= -2V, IC=-150m A 63 hFE(3) VCE= -2V, IC=-500m A 25 Base-emitter voltage VBE Transition frequency fT nA 25 VCE(sat) = IC=-500mA,IB -50mA Collector-emitter saturation voltage V -100 hFE(1)= VCE=-2V, IC -5mA DC current gain V -80 = IE = -10μA,IC 0 V(BR)EBO Collector cut-off current V -60 BCP53 Base-emitter breakdown voltage Unit -60 BCP53 BCP52 Max -45 BCP51 BCP52 Collector-emitter breakdown voltage Test conditions VCE=-2V, IC=-500m A = 100MHz VCE=-10V,I =C -50mA,f 100 250 -0.5 V -1 V MHz CLASSIFICATION OF hFE(2) Rank Range www.jscj-elec.com BCP51-10, BCP52-10, BCP53-10 BCP51-16, BCP52-16, BCP53-16 63-160 100-250 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на BCP51 

Microsoft Word - BCP51，52，53 _SOT-223_.doc

Дата модификации: 29.12.2020

Размер: 1.47 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)