BD137

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors BD135 / BD137 / BD139 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z High Current z Complement To BD136, BD138 And BD140 TO – 126 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE  Equivalent Circuit BD137 zXX BD135 zXX BD139 zXX BD135,BD137,BD139 'HYLFHFoGH Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal devi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO126
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BD139 (JSCJ)
 
TO126 1000 шт
 
A+ BD237 (JSCJ)
 
TO126 1000 шт
 
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
в ленте 5 шт
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ BD235 (JSCJ)
 
TO126 200 шт
 
A+ 2SD1815 (JSCJ)
 
 
A+ 2SD1899 (JSCJ)
 
1 шт
 
A+ 2SD2391 (JSCJ)
 
 
A+ D882H (JSCJ)
 
 
A+ MPS651 (JSCJ)
 

MPS651 (DIODES)
TO-92-3 2000 шт
 
A+ MPS651-TA (JSCJ)
 
 
A+ 2SC3303 (JSCJ)
 
 
A+ 2SC3303 TO-252-2L (JSCJ)
 
TO2522L
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.