2SD2391

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SD2391 TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES Low VCE(sat) 1.BASE Marking: DT 123 2.COLLECTOR 3.EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ 2SD1899 (JSCJ)
 
— 1 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1899 M100-200 (JSCJ)
 
TO-252-2L
 
 — — — —
A+ LBTN660Z4TZHG (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ 2SD1816G-R-TF3-T (UTC)
 
— в линейках 50 шт — — — —
A+ 2SD1816L-R-TN3-R (UTC)
 
— — — —
A+ 2SD1816L-S-TM3-T (UTC)
 
TO-251-3
 
 — — — —
A+ 2SD1816L-S-TN3-R (UTC)
 
— — — — —
A+ 2SD1857G-Q-AA3-A-R (UTC)
 
SOT-223 — — — —
A+ PZT1816G-S-AA3-R (UTC)
 
— — — — —
A+ UP1753G-AA3-R (UTC)
 
— 1 шт — — — — —
A+ 2SC3647G-S-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SD2391 TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES Low VCE(sat) 1.BASE Marking: DT 123 2.COLLECTOR 3.EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current -Continuous 2 A PC Collector Power Dissipation 0.5 W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=50μA,IE=0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC =1mA,IB=0 60 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=50μA,IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=50V,IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V,IC=0 0.1 μA hFE(1) VCE=2V,IC=0.5A 120 hFE(2) VCE=2V,IC=1.5A 45 VCE(sat) IC=1A,IB=50mA 270 DC current gain Collector-emitter saturation voltage Transition frequency Output capacitance www.jscj-elec.com fT Cob 0.35 V VCE=2V,IC=0.5A, f=100MHz 210 MHz VCB=10V,IE=0, f=1MHz 21 pF 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на 2SD2391 

Microsoft Word - 2SD2391_SOT-89_.doc

Дата модификации: 18.05.2020

Размер: 542.7 Кб

4 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    26 июня 2024
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для солнечной энергетики

    Электроэнергия, вырабатываемая солнечной батареей, может быть преобразована в удобную для потребителя форму разными способами, имеющими свои особенности. Одним из них является применение микроинверторов – преобразователей постоянного тока в... ...читать

    19 июля 2023
    новость

    Компоненты JSCJ для солнечных микроинверторов

    Благодаря энергетической революции идет активное продвижение экологически чистых и безопасных возобновляемых источников энергии с малым выбросом углеродов. Одним из них является солнечная энергия. Эффективность ее использования зависит в том числе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)