BZT52C5V1

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes BZT52C2V4-BZT52C43 ZENER DIODE SOD-123 FEATURES： z Planar Die Construction z 500mW Power Dissipation on Ceramic PCB z General Purpose, Medium Current z Ideally Suited for Automated Assembly Processes z Available in Lead Free Version Maximum Ratings(Ta=25℃ unless otherwise specified) Characteristic ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123
Напряжение стабилизации
Ток стабилизации (макс)
Импеданс (макс)
Рабочая температура
Примечания Zener Diode, 5.1V V(Z), 5.8%, 0.5W
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i U стаб I стаб Z T раб Примечания Карточка
товара
P= BZT52C5V1RH (TSC)
 
—
 
 — Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional
P= BZT52C5V1 RHG (TSC)
 
SOD123F 3000 шт
 
 — Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional
P= LMSZ5231BT1G (LRC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= LBZT52C5V1T1G (LRC)
 
SOD123
 
 — — —
P= BZT52B5V1 (YJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — Zener Diode, 5.1V V(Z), 1.96%, 0.5W, Silicon, Unidirectional
P= BZT52C5V1 (YJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
 Zener Diode, 5.1V V(Z), 5.88%, 0.5W, Silicon, Unidirectional
P= BZT52C5V1 (SHIKUES)
 
SOD123 — —
P= MMSZ5231B (YJ)
 

MMSZ5231B (ONS-FAIR) 		SOD123 в ленте 3000 шт
 
 Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes BZT52C2V4-BZT52C43 ZENER DIODE SOD-123 FEATURES： z Planar Die Construction z 500mW Power Dissipation on Ceramic PCB z General Purpose, Medium Current z Ideally Suited for Automated Assembly Processes z Available in Lead Free Version Maximum Ratings(Ta=25℃ unless otherwise specified) Characteristic Forward Voltage (Note 2) @ IF = 10mA Power Dissipation(Note 1) Thermal Resistance from Junction to Ambient(Note 1) Operation Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 Symbol Value Unit VF 0.9 V PD 500 mW RθJA TJ,TSTG 250 -55~+150 ℃ /W ℃ Rev. - 2.0 PDF
Документация на BZT52C10 

Author: Administrator

Дата модификации: 21.05.2020

Размер: 1.21 Мб

5 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    01 февраля 2024
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили дискретные полупроводники SUNCO

    Компания SUNCO является одной из важнейших полупроводниковых компаний КНР с бизнес–моделью IDM (Integrated Device Manufacture). Качество продукции SUNCO высоко ценится производителями электроники во всем мире. Дискретные полупроводниковые... ...читать

    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1N4728A T/B (DC)