CJ1012 C

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ1012 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOT-523 700mΩ@4.5V 20 V 3 500mA 850mΩ@2.5V 1. GATE General Description This Single N-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON). 2. SOURCE 3. DRAIN 1 2 FEATURE  High-Side Switching  Low On-Res...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-523
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMTL3134K (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ LNTS4409NWT1G (LRC)
 
— ± — — — — —
A+ CJZM718 (JSCJ)
 
—
 
 N-ch MOSFET and PNP Transistor —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ1012 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOT-523 700mΩ@4.5V 20 V 3 500mA 850mΩ@2.5V 1. GATE General Description This Single N-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON). 2. SOURCE 3. DRAIN 1 2 FEATURE  High-Side Switching  Low On-Resistance  Low Threshold  Fast Switching Speed  ESD protected APPLICATIONS  Drivers:Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories  Battery Operated Systems  Power Supply Converter Circuits  Load/Power Switching Cell Phones, Pagers MARKING Equivalent Circuit C= Device Code Solid dot = Green molding compound device,if none, the normal device. Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Drain-Source voltage VDSS 20 Gate-Source Voltage VGS ±12 Drain Current-Continuous ID(DC) 500 IDM(pulse) 1000 Unit V mA Drain Current -Pulsed(note1) 150 Power Dissipation (note 2 , Ta=25℃) mW PD 275 Maximum Power Dissipation (note 3 , Tc=25℃) Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA 833 Thermal Resistance from Junction to Case RθJC 455 TJ,Tstg -55 ~+150 Operation Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 ℃/W ℃ Rev. - 2.0 PDF
Документация на CJ1012 

Microsoft Word - CJ1012_SOT-523_.doc

Дата модификации: 10.07.2020

Размер: 546.8 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)