CJ2305A

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2305A P-Channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V 65mΩ@-2.5V -12 V SOT-23 -4.1A 120mΩ@-1.8V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter z FEATURE z TrenchFET Power MOSFET Equivalent Circuit MARKING S5A4' (     !45$ , , ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJ2305A

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2305A P-Channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V 65mΩ@-2.5V -12 V SOT-23 -4.1A 120mΩ@-1.8V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter z FEATURE z TrenchFET Power MOSFET Equivalent Circuit MARKING S5A4' (     !45$ , , 2n (  # ,, !" ,$  ( Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit Drain-Source Voltage VDS -12 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current ID -4.1 Continuous Source-Drain Diode Current IS -0.8 PD 1.3 W RθJA 96.2 ℃/W TJ,TSTG -50 ~+150 ℃ Maximum Power Dissipation d Thermal Resistance from Junction to Ambient d Operation Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 V A Rev. - 1.3 PDF
Документация на CJ2305A 

CJ2305A SOT-23 V1.3

Дата модификации: 07.03.2022

Размер: 860.1 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)