CJ3401
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJ3401 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
V(BR)DSS
ID
RDS(on)MAX
SOT-23
3
65mΩ@-10V
75mΩ@-4.5V
-30 V
-4.2A
90mΩ@-2.5V
1. GATE
2. SOURCE
1
2
3. DRAIN
APPLICATION
FEATURE
z Load/Power Switching
z High dense cell design for extremely low RDS(ON).
z Exceptional on-resistance and maximu...
развернуть ▼ свернуть ▲ Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-23-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Максимальное напряжение затвора | ||
| Рассеиваемая мощность | ||
| Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJ3401
Microsoft Word - CJ3401_SOT-23_.doc
Дата модификации: 10.06.2021
Размер: 514.9 Кб
5 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.