CJA606NL

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors CJA606NL TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES z Low Saturation Voltage 1. BASE z High Speed Switching Equivalent Circuit MARKING: .606NL 2. COLLECTOR 3. EMITTER 6.06NL B C E Solid dot = Green molding compound device. MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Un...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT893L
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors CJA606NL TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES z Low Saturation Voltage 1. BASE z High Speed Switching Equivalent Circuit MARKING: .606NL 2. COLLECTOR 3. EMITTER 6.06NL B C E Solid dot = Green molding compound device. MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 150 V VCBO Collector-Base Voltage VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V Collector Current 6 A Power Dissipation 1.5 W Thermal Resistance From Junction To Ambient 83.3 ℃/W -55~+150 ℃ IC PD ① RθJA ① Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= 0.1mA,IE=0 150 Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=10mA,IB=0 60 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=0.1mA,IC=0 7 V Collector cut-off current ICBO VBC=120V,IE=0 50 nA Emitter cut-off current IEBO V BE=6V,IC=0 10 nA DC current gain hFE VCE=1V, IC=10mA 100 VCE=1V, IC=2A 100 VCE=1V, IC=5A 55 VCE=1V, IC=10A 20 V 400 IC=100mA, IB=5mA Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 30 mV IC=1A, IB=50mA 65 mV IC=2A, IB=50mA 125 mV IC=6A, IB=300mA 280 mV Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=6A, IB=300mA 1.1 V Base-emitter on voltage VBE(on) IC=6A, VCE=1V 1.05 V Collector output capacitance Transition frequency Cob fT 35 VCB=10V,IE=0, f=1MHz VCE=10V, IC=100mA, f=100MHz 30 pF MHz Notes: 1.Device mounted on 1 in2 FR-4 board with 2oz.single-sided Copper, in a still air environment with TA=25 ℃. www.jscj-elec.com 1 PD01-13-A1 PDF
Документация на CJA606NL 

CJA606NL SOT-89-3L

Дата модификации: 14.06.2023

Размер: 1.26 Мб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    19 ноября
    новость

    Решения азиатских производителей для индустриальных накопителей электроэнергии

    Системы накопления электроэнергии, состоящие из выпрямителя, аккумуляторной батареи и инвертора, давно применяются в качестве источников бесперебойного питания. Компоненты для них присутствуют на рынке в широком ассортименте. Но есть и другое,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2SC4081-R (YJ)