CJAC0410

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5×6-8L-A Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC0410 N Channel+P Channel MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID PDFNWB5×6-8L-A 185mΩ@10V 100V 195mΩ@4.5V 4A 270mΩ@-10V -100V 330mΩ@-4.5V -4A DESCRIPTION The CJAC0410 provides excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High density cell des...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJAC0410

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5×6-8L-A Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC0410 N Channel+P Channel MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID PDFNWB5×6-8L-A 185mΩ@10V 100V 195mΩ@4.5V 4A 270mΩ@-10V -100V 330mΩ@-4.5V -4A DESCRIPTION The CJAC0410 provides excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High density cell design for ultra low RDS(ON)  Excellent package for good heat dissipation Fully characterized avalanche voltage and current   APPLICATIONS  High-frequency switching and synchronous rectification DC/DC converter  MARKING EQUIVALENT CIRCUIT 8 CJAC 0410 XX CJAC0410= Part No. Solid dot=Pin1 indicator XX=Code 4 1 PIN 1 Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Limit Unit N-MOSFET Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V 4.0 A A Parameter Continuous Drain Current ID ① Pulsed Drain Current IDM Single Pulsed Avalanche Energy EAS ③ ② 16 39 mJ P-MOSFET Drain-Source Voltage VDS -100 Gate-Source Voltage VGS ID ① ±20 -4.0 Continuous Drain Current Pulsed Drain Current IDM Single Pulsed Avalanche Energy ② EAS ④ V V A -16 A 57 mJ 89.2 ℃/W 6.0 W Temperature and Thermal Resistance Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA ② Power Dissipation PD Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature Range Tstg TL -55 ~+150 260 ℃ Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10s) www.jscj-elec.com 1 ℃ Rev. - 1.0 PDF
Документация на CJAC0410 

Дата модификации: 12.12.2019

Размер: 2.74 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)