Вход / Регистрация

CJAC200SN04

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN:%5×6-8L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC200SN04 N-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP V(BR)DSS ID 0.88mΩ@10V 40V PDFN:%5×6-8L-C 200A DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provi...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJAB35N03S

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSL0401BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0401ATSQ-13 (JIEJIE)
 
— 2000 шт
 
 — — — —
A+ NCEP40T20GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP40T35ALL (NCE)
 
— в ленте 15 шт
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN:%5×6-8L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC200SN04 N-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP V(BR)DSS ID 0.88mΩ@10V 40V PDFN:%5×6-8L-C 200A DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency fast switching applications. FEATURES  40V,200A, RDS(ON) =1.1mΩ@VGS = 10V  Fast Switching  Improved dv/dt capability  Green Device Available APPLICATIONS  PowerTools  LED applications  Load Switch  Motor Drive Applications EQUIVALENT CIRCUIT MARKING 8 CJAC200SN04 = Part No. CJAC 200SN04 YY D 7 D 6 D 5 D Solid dot=Pin1 indicator XX=Date Code 2 1 S 3 S 4 S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Drain-Source Voltage VDS 40 Gate-Source Voltage VGS ±20 ID 200 IDM 800 PD 2.0 W EAS 400 mJ RθJC 1.35 ℃/W RθJA 62 ℃/W Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature TSTG -55~ +150 Continuous Drain Current Pulsed Drain Current (1) Maximum Power Dissipation (4) Avalanche energy* Thermal Resistance from Junction to Case（Tc=25℃） Thermal Resistance from Junction to Ambient (3) Unit V A ℃ * EAS test condition VDD=25V,VGS=10V,L=1.0mH, Starting TJ=25℃ www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на CJAC200SN04 

Дата модификации: 26.02.2020

Размер: 886.9 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    24 января 2023
    новость

    Полупроводниковая микроэлектроника JSCJ для беспроводных решений, систем безопасности и других применений

    КОМПЭЛ начал сотрудничество с компанией Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ), основной продукцией которой являются дискретные полупроводниковые компоненты и интегральные микросхемы. JSCJ основан в 2018 году в городе Нанкин (Китай) на базе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)