CJAC30P10
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
PDFN:%5×6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJAC30P10
P-Channel Power MOSFET
ID
RDS(on)TYP
V(BR)DSS
35mΩ@-10V
-100V
PDFN:%5×6-8L
-30A
38mΩ@-4.5V
GENERAL DESCRIPTION
The CJAC30P10 uses advanced trench technology and design to
provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide
variety of applications.
FEATURE
Adva...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJAC30P10
Microsoft Word - CJU18P10 TO-252-2L A-1
Дата модификации: 02.02.2021
Размер: 2.5 Мб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.