CJK3415

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3415 P-Channel 20-V(D-S) 20V(D-S) MOSFET MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOT-23-3L 50mΩ@-4.5V -4.0A 60mΩ@-2.5V -20V 100mΩ@-1. 8V 1. GATE 2. SOURCE FEATURE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltages 3. DRAIN D APPLICATIONS Load switch and in PWM applicatopns Equivalent Circuit MARKI...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT233L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3415 P-Channel 20-V(D-S) 20V(D-S) MOSFET MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOT-23-3L 50mΩ@-4.5V -4.0A 60mΩ@-2.5V -20V 100mΩ@-1. 8V 1. GATE 2. SOURCE FEATURE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltages 3. DRAIN D APPLICATIONS Load switch and in PWM applicatopns Equivalent Circuit MARKING: R15 D G S Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current (t≤10s) ID -4.0 A Maximum Power Dissipation (t≤10s) PD 0.30 W RθJA 417 ℃/W TJ,TSTG -55 ~+150 ℃ Thermal Resistance from Junction to Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 V Rev. - 2.0 PDF
Документация на CJK3415 

Microsoft Word - CJ3415_SOT-23_.doc

Дата модификации: 09.07.2020

Размер: 627.9 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)