CJMPD11

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2×2-6L Plastic-Encapsulat MOSFETS CJMPD11 Dual P-Channel Power MOSFET DFNWB2×2-6L RDS(on)TYP V(BR)DSS ID 70mΩ@-4.5 V -20V -2.3 A 110mΩ@-2.5 V General Description The CJMPD11 uses advanced trench technology and design to Provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion applications...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJM7201

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2×2-6L Plastic-Encapsulat MOSFETS CJMPD11 Dual P-Channel Power MOSFET DFNWB2×2-6L RDS(on)TYP V(BR)DSS ID 70mΩ@-4.5 V -20V -2.3 A 110mΩ@-2.5 V General Description The CJMPD11 uses advanced trench technology and design to Provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion applications. 11 XX 11 = Part No. Solid dot = Pin1 indicator. XX = Code. front back Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS ±8 V Continuous Drain Current ID -2.3 A Pulsed Drain Current (t=300µs) IDM -10 A Power Dissipation PD 0.35 W RθJA 357 ℃/W Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~ +150 ℃ Thermal Resistance from Junction to Ambient www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.1 PDF
Документация на CJMPD11 

Microsoft Word - CJMPD08_DFNWB2x2-6L_.doc

Дата модификации: 11.11.2020

Размер: 2.02 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)