CJQ18SN06
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJQ18SN06
N-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
ID
RDS(on)TYP
5.5mΩ@10V
60 V
SOP8
18A
7.0mΩ@4.5V
DESCRIPTION
The CJQ18SN06 uses shielded gate trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can
be used in a wide variety of applications
APPLICATIONS
z
High side switch in S...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SO-8 SOIC8
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SO-8 SOIC8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 6
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | LN7462DT1WG (LRC) | DFN5×68B | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | LN7460DT1WG (LRC) | DFN5×68B | ± | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | LNB8512DT0AG (LRC) | DFN33338A | ± | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | LNB85042DT0AG (LRC) | DFN33338A | ± | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | LNB8462DT0AG (LRC) | DFN33338A | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | LN7506DT1WG (LRC) | DFN5×68B | ± | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJQ18SN06
Microsoft Word - CJQ4406 SOP8 A-1.doc
Дата модификации: 22.08.2020
Размер: 3.51 Мб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.