CJU55N02

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU55N02 TO-252-2L N-Channel Power MOSFET ID RDS(on)TYP V(BR)DSS 5.8mΩ@10V 20 V 55 A 7.0mΩ@4.5V DESCRIPTION The CJU55N02 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 2 1 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJB110SN10

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2522L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO60N02T1 (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — — — —
A+ JMTQ90N02A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
 — — — —
A+ WMB90N02TS (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMO90N02T1 (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU55N02 TO-252-2L N-Channel Power MOSFET ID RDS(on)TYP V(BR)DSS 5.8mΩ@10V 20 V 55 A 7.0mΩ@4.5V DESCRIPTION The CJU55N02 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 2 1 FEATURE  Excellent package for good heat dissipation Ultra low gate charge   Low reverse transfer capacitance Fast switching capability   Avalanche energy specified APPLICATION  Power switching application MARKING EQUIVALENT CIRCUIT U55N02 XXXX 3 U55N02 = Device code. Solid dot = Green molding compound device if none, the normal device. XXXX = Code. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V 55 A ① Continuous Drain Current ID Pulsed Drain Current IDM Single Pulsed Avalanche Energy Maximum Power Dissipation 200 A EAS ③ 80 mJ PD ① 55 W 100 ℃/W 2.27 ℃/W -55~+150 ℃ ② Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA Thermal Resistance from Junction to Case ① RθJC Operating Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com ⑥ TJ ,Tstg 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на CJU55N02 

Дата модификации: 20.08.2020

Размер: 3.03 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)