CJU55N02
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJU55N02
TO-252-2L
N-Channel Power MOSFET
ID
RDS(on)TYP
V(BR)DSS
5.8mΩ@10V
20 V
55 A
7.0mΩ@4.5V
DESCRIPTION
The CJU55N02 uses advanced trench technology and design
to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a
wide variety of applications
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
2
1
...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2522L
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO2522L | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJD60N02A (YJ) | TO252 | 20 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | |
| A+ | YJD90N02A (YJ) | — |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 20V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | ||
| A+ | JMTK2006A (JIEJIE) | TO252 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | NCE2060K (NCE) | TO252 |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.