CJV01N65B

JSCJ
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJV01N65B N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX 650 V 14Ω@ 10V ID 1A GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJ2102A

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-92-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJV01N65B N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX 650 V 14Ω@ 10V ID 1A GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, high speed switching TO-92 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE applications such as power supplies, converters, power motor controls and bridge circuits. FEATURE High Current Rating z Lower RDS(on) z Lower Capacitance z z z z Lower Total Gate Charge Tighter VSD Specifications Avalanche Energy Specified Equivalent Circuit MARKING V01N65B= Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device XXX= Code   () # !34"# 87" 87 )".$0 CJV01N65B 72 %XON 1000pcs/Bag CJV01N65BTA 72 7DSH 2000pcs/Box 8 9!2 Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 650 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Current ID 1 Pulsed Drain Current IDM 4 Single Pulsed Avalanche Energy (note1) EAS 5 mJ Power Dissipation PD 625 mW ℃/W Thermal Resistance from Junction to Ambient Operating and Storage Temperature Range Maximum lead temperure for soldering purposes , 1/8”from case for 5 seconds www.jscj-elec.com 1 RθJA 200 TJ, TSTG -55 ~+150 TL 260 V A ℃ Rev. - 2.0 PDF
Документация на CJV01N65B 

Microsoft Word - CJV01N65B TO-92 A-1.doc

Дата модификации: 10.07.2020

Размер: 629.5 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)