DSR1D

Диод выпрямительный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1 В, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123FL
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MURS120-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= ES1D (DC)
 

ES1D (DIODES)
DO214AC в ленте 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= ES1D (YJ)
 

ES1D (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= ES1D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= MURS120 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SS220 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= ES1D-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= MURS220-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= ES1DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= US2DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= EFM104 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= SS110G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= EFMA240 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= SS320G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= ES1A (YJ)
 

ES1A (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= ES1B SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 10000 шт
 
P= EFM101 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= EFM102 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= ES1AG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= MURS220A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= ES2D-A (ANBON)
 
DO214AC
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-123FL Plastic-Encapsulate Diodes DSR1A THRU DSR1M G eneral Purpose Rectifier Diodes Features ●IF(AV) 1A ● VRRM 50V-1000V SOD-1 23FL ●High surge current capability ● Polarity: Color band denotes cathode Applications ● Rectifier Marking ● DSR1A~DSR1K : A1~A6 DSR1M : S1M Limiting Values(Absolute Maximum Rating) Item DSR1 Symbol Unit Test Conditions A B D G J K M Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS Voltage V RMS V 35 70 140 280 420 560 700 Maximum DC Blocking Voltage VDC V 50 100 200 400 600 800 1000 Average Forward Current IF(AV) A 60Hz Half-sine wave, Resistance load,Ta(Fig.1) 1.0 Surge(Non-repetitive)Forward Current IFSM A 60Hz Half-sine wave, 1 cycle,Ta=25℃ 30 TJ ℃ -55 ~ +150 TSTG ℃ -55 ~ +150 K M Junction Temperature Storage Temperature Electrical Characteristics (T=25℃ Unless otherwise specified) DSR1 Item Maximum Peak Forward Voltage Maximun Peak Reverse Current Typical junction capacitance Typical Thermal Resistance Symbol Unit VF IRRM1 V IRRM2 μA CJ pF RθJ-A RθJ-L ℃/ W Test Condition IF =1.0A VRM=VRRM A B D G J 1.0 Ta =25℃ 10 Ta =125℃ Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 50 Between junction and ambient 95 Between junction and terminal 25 4 Notes: Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pad areas www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на DSR1A 

Subject:

Дата модификации: 05.11.2021

Размер: 844.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.