ES1D

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 15 пФ, производства DC Components (DC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 38

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= ES1DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= EFMA240 (LRC)
 
DO-214AC SMA в ленте 7500 шт
 
P= ES1D (YJ)
 

ES1D (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= ES1D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= ES1D-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= DSR1D (JSCJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
P= SS110G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= MURS120 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= MURS220A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= US2DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= MURS220-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= MURS120-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= SS220 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= ES2D-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= EFM104 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= ES1A (YJ)
 

ES1A (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= ES1B SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 10000 шт
 
P= EFM101 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= EFM102 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= ES1AG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SS320G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
A- UG2DA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- US1D (YJ)
 

US1D (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM)
A- ES2DA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon
A- HS1D (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- MURS120 (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- US1D (DC)
 

US1D (DIODES)
DO214AC в ленте 1800 шт
A- ES2D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- UG1D (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
A- HS2DA (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM)
A- SS120A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS120AQ (YJ)
 
60 шт
 
Surface Mount Schottky Rectifier
A- SS220A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES2DAQ (YJ)
 
DO214AC Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
A- US1D (JSCJ)
 

US1D (DIODES)
DO214AC
 
A- US2D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC
 
A- ES2DA (TSC)
 
DO214AC 7500 шт
 
A- ESH2DA (TSC)
 
DO214AC 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC

Файлы 1

показать свернуть
ES1A THRU ES1J DC COMPONENTS CO., LTD. R RECTIFIER SPECIALISTS TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 1.0 Ampere FEATURES * ldeal for surface mounted applications * Low leakage current * Glass passivated junction SMA(DO-214AC) .062(1.60) .055(1.40) MECHANICAL DATA * Case: Molded plastic * Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant *Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 * Polarity: As marked * Mounting position: Any * Weight: 0.064 gram .114(2.90) .098(2.50) .181(4.60) .157(4.00) .012(0.305) .006(0.152) .096(2.44) .078(2.00) .060(1.52) .030(0.76) .008(0.203) .002(0.051) .208(5.28) .188(4.80) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25 o C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Dimensions in inches and (millimeters) SYMBOL ES1A ES1B ES1C ES1D ES1E ES1G ES1J UNITS Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage VRRM 50 100 150 200 300 400 600 Volts Maximum RMS Voltage VRMS 35 70 105 140 210 280 420 Volts VDC 50 100 150 200 300 400 600 Volts Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Rectified Current at T A = 55o C Peak Forward Surge Current I FM(surge): 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) Maximum Forward Voltage at 1.0A DC Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage IO 1.0 Amps I FSM 30 Amps VF @T A = 25 o C @T A = 100 o C Maximum Reverse Recovery Time (Note 1) Typical Junction Capacitance (Note 2) Operating and Storage Temperature Range 0.95 1.7 15 nSec 10 -65 to +175 Volts µAmps 100 35 trr CJ T J , T STG 1.25 5.0 IR pF 0 C NOTES : 1. Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A. 2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volrs. REV-1,Apr/25/2013 PDF
Документация на ES1D 

Дата модификации: 04.09.2018

Размер: 49.8 Кб

2 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    26 июня 2024
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для солнечной энергетики

    Электроэнергия, вырабатываемая солнечной батареей, может быть преобразована в удобную для потребителя форму разными способами, имеющими свои особенности. Одним из них является применение микроинверторов – преобразователей постоянного тока в... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.