ES1DG

Диод выпрямительный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1 В, производства Shikues (SHIKUES)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= ES1D (DC)
 

ES1D (DIODES)
DO214AC в ленте 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= MURS120 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= ES1D (YJ)
 

ES1D (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= ES1D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= EFM104 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= ES1D-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= DSR1D (JSCJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
P= SS220 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= MURS120-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= MURS220-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= US2DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= MURS220A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SS110G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SS320G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= ES1A (YJ)
 

ES1A (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= ES1B SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 10000 шт
 
P= EFM101 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= EFM102 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= ES1AG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= EFMA240 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= ES2D-A (ANBON)
 
DO214AC
 

Файлы 1

показать свернуть
ES1AG THRU ES1JG Surface Mount Superfast Recovery Rectifier PINNING Reverse Voltage – 50 to 600 V Forward Current – 1 A PIN DESCRIPTION FEATURES 1 Cathode • For surface mounted applications • Low profile package • Glass Passivated Chip Junction • Superfast reverse recovery time • Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives 2 Anode 1 MECHANICAL DATA • Case: SMA • Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 • A pprox. Weight: 0.055g / 0.002oz 2 Top View Marking Code: ES1A~ES1J Simplified outline SMA and symbol Absolute Maximum Ratings and Characteristics Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Symbols Parameter ES1AG ES1BG E S1CG E S1DG E S1EG E S1GG E S1JG Units Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 50 100 150 200 300 400 600 V Maximum RMS voltage V RMS 35 70 105 140 210 280 420 V Maximum DC Blocking Voltage V DC 50 100 150 200 300 400 600 V Maximum Average Forward Rectified Current at T L = 100 °C I F(AV) 1 A Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half Sine Wave Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) I FSM 30 A Maximum Forward Voltage at 1 A VF Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage Ta = 25 °C Ta =125 °C Typical Junction Capacitance at V R =4V, f=1MHz Maximum Reverse Recovery Time Typical Thermal Resistance (1) (2) Operating and Storage Temperature Range (1)Measured with I F = 0.5 A, I R = 1 A, I rr = 0.25 A . REV.08 1.25 1 1.70 V IR 5 100 μA Cj 15 pF t rr 35 ns RθJA 110 °C/W T j , T stg -55 ~ +150 °C (2)P.C.B. mounted with 1.0 X 1.0" (2.54 X 2.54 cm) copper pad areas. 1 of 3 PDF
Документация на ES1AG 

SMA-E-ES1A~ES1J-1A600V-46mil.cdr

Дата модификации: 01.01.1970

Размер: 1.34 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.