FMMT493

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FMMT493 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES  Complementary Type FMMT593 MARKING:493 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter 1. BASE Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
— в ленте 1000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT493 SOT-23 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ PZT1816G-S-AA3-R (UTC)
 
— — — — —
A+ 2SD1816L-R-TN3-R (UTC)
 
— — — —
A+ 2SD1816L-S-TM3-T (UTC)
 
TO-251-3
 
 — — — —
A+ 2SD1816L-S-TN3-R (UTC)
 
— — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FMMT493 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES  Complementary Type FMMT593 MARKING:493 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter 1. BASE Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 1000 mA PC Collector Power Dissipation 250 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 500 ℃/W -55～+150 ℃ RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range 2. EMITTER 3. COLLECTOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100µA, IE=0 120 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=10mA, IB=0 100 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100µA, IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=100V, IE=0 0.1 µA Collector cut-off current ICES VCES=100V, IE=0 0.1 µA Emitter cut-off current IEBO VEB=4V, IC=0 0.1 µA DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage hFE(1) * VCE=10V, IC=1mA 100 hFE(2) * VCE=10V, IC=250mA 100 hFE(3) * VCE=10V, IC=0.5A 60 hFE(4) * VCE=10V, IC=1A 20 VCE(sat)1* IC=500mA, IB=50mA 0.3 V VCE(sat)2* IC=1A, IB=100mA 0.6 V VBE(sat)* IC=1A, IB=100mA 1.15 V 1 V Base-emitter voltage VBE* Transition frequency fT Collector output capacitance 300 Cob VCE=10V, IC=1A VCE=10V,IC=50mA, f=100MHz VCB=10V, IE=0, f=1MHz 150 MHz 10 pF *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на FMMT493 

Microsoft Word - FMMT493 SOT-23_A_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 761.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)