GBU608

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD GBU Plastic-Encapulate Bridge Rectifier GBU6005 THRU GBU610 Features ●Io General P urpose Bridge Rectifier 6.0A GBU 50V-1000V ●VRRM ●High surge current capability ●Glass passivated chip Applications ● General purpose 1 phase Bridge rectifier applications Marking ● GBU6XX XX : From 005 To 10 Item Symbol Unit GBU6 Conditions 005 01 0...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус GBU
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD GBU Plastic-Encapulate Bridge Rectifier GBU6005 THRU GBU610 Features ●Io General P urpose Bridge Rectifier 6.0A GBU 50V-1000V ●VRRM ●High surge current capability ●Glass passivated chip Applications ● General purpose 1 phase Bridge rectifier applications Marking ● GBU6XX XX : From 005 To 10 Item Symbol Unit GBU6 Conditions 005 01 02 04 06 08 10 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS Voltage V RMS V 35 Average Rectified Output Current IO A Surge(Nonrepetitive)Forward Current IFSM A 60Hz sine wave, R-load 70 140 280 420 560 700 With heatsink Tc =110℃ 6 Without heatsink Ta =25℃ 2.8 60HZ sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ A2S 1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode 175 Current Squared Time I2t Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~+150 Dielectric Strength Vdis KV Terminals to case，AC 1 minute 2 Mounting Torque Tor kg· cm Recommend torque：5kg·cm 8 127 Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） Item Symbol Unit Peak Forward Voltage VFM V Peak Reverse Current IRRM μA RθJ-A IFM=3A, Pulse measurement, Rating of per diode Max 1.0 VRM=VRRM , Pulse measurement, Rating of per diode 10 Between junction and ambient, Without heatsink 26 Between junction and case, With heatsink 3.4 ℃/W Thermal Resistance RθJ-C www.jscj-elec.com Test Condition 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на GBU6005 

Subject:

Дата модификации: 01.08.2019

Размер: 3.45 Мб

3 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    01 февраля 2024
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили дискретные полупроводники SUNCO

    Компания SUNCO является одной из важнейших полупроводниковых компаний КНР с бизнес–моделью IDM (Integrated Device Manufacture). Качество продукции SUNCO высоко ценится производителями электроники во всем мире. Дискретные полупроводниковые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    SEMIX341D16S (SMK)