MMBD4448HSDW

JSCJ
Диод выпрямительный на напряжение до 80 В, с падением напряжения 1.25 В, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= LBAV99DW1T1G (LRC)
 
SC88
 
 — — — —
P= BAV99DW (ANBON)
 
SOT-323-6 SOT363 — — — —
P= BAV70DW (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 — — — —
P= LBAV70DW1T1G (LRC)
 
SC88
 
 — — — —
P= BAV99S (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 4 Element, 0.15A, 85V V(RRM), Silicon
P= BAS70BRW (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — — — — — — — —
P= BAV199DW (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — — — — — — —
P= BAS16TW (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Diodes MMBD4448HAQW/HADW/HCDW/HSDW/HTW SOT-363 Switching Diode FEATURES z Fast Switching Speed z Ultra-Small Surface Mount Package z For General Purpose Switching Applications z High Conductance Power Dissipation MMBD4448HA4W MMBD4448HADW MMBD4448HCDW MMBD4448HSDW MARKING:KA5 KA5 KA5 MARKING:KA6 MARKING:KA7 + - - + - - - + + - + + KA6 KA6 KA7 KA7 - - + - - + + + - + + - MARKING:KAB - + KAB + - - + KAB + - MMBD4448HTW MARKING: KAA - - - - - - KAA KAA + + + + + + Solid dot = Pin1 indicate. Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25 ℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM 80 V DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 57 V Forward Continuous Current IFM 500 mA Average Rectified Output Current IO 250 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.0 A Power Dissipation Pd 200 mW RθJA 625 ℃ /W TJ, TSTG -55 ~+150 ℃ Thermal Resistance from Junction to Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMBD4448HADW 

Author: Administrator

Дата модификации: 20.05.2020

Размер: 1.17 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)