BAV99S

JSCJ
Диод выпрямительный на напряжение до 75 В, ток до 150 мА, с падением напряжения 1.25 В, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 4 Element, 0.15A, 85V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= LBAV99DW1T1G (LRC)
 
SC88
 
 — — — —
P= BAV99DW (ANBON)
 
SOT-323-6 SOT363 — — — —
P= BAV70DW (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 — — — —
P= LBAV70DW1T1G (LRC)
 
SC88
 
 — — — —
P= MMBD4448HSDW (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — — — — — — —
P= BAS70BRW (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — — — — — — — —
P= BAS16TW (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — —
P= BAV199DW (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — — — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Diodes BAV99S HIGH-SPEED SWITCHING DIODE SOT-363 FEATURES  Small Plastic Package  High Switching Speed  Low Capacitance  Two Electrically Isolated Series Configuration Arrays MARKING: K1 K1 Solid dot = Pin1 indicate. MAXIMUM RATINGS @( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol Limits Unit Repetitive Peak Reverse Voltage 85 V VR Reverse Voltage 75 V IF VRRM Parameter Forward Current 150 IFRM Repetitive Peak Forward Current 450 IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 8.3ms 2.5 A PD Power Dissipation 200 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient 625 ℃/W -55~+150 ℃ RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range mA ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse voltage V(BR) Reverse current IR Forward voltage Total capacitance Reverse recovery time www.jscj-elec.com Test conditions Max Unit VR=75V 1 μA IF=1mA 0.715 IF=10mA 0.855 IF=50mA 1 IF=150mA 1.25 VR=0,f=1MHz 1.5 pF 6 ns Symbol VF Ctot trr IR=100μA Min Typ 75 IF= IR=10mA, Irr=0.1×IR, RL=100Ω 1 V V Rev. - 2.0 PDF
Документация на BAV99S 

Author: Administrator

Дата модификации: 20.05.2020

Размер: 1.16 Мб

4 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Diodes BAV99S HIGH-SPEED SWITCHING DIODE SOT-363 FEATURES  Small Plastic Package  High Switching Speed  Low Capacitance  Two Electrically Isolated Series Configuration Arrays MARKING: K1 K1 Solid dot = Pin1 indicate. MAXIMUM RATINGS @( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol Limits Unit Repetitive Peak Reverse Voltage 85 V VR Reverse Voltage 75 V IF VRRM Parameter Forward Current 150 IFRM Repetitive Peak Forward Current 450 IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 8.3ms 2.5 A PD Power Dissipation 200 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient 625 ℃/W RΘJA Tj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55~+150 mA ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Reverse voltage V(BR) Reverse current IR Forward voltage Total capacitance Reverse recovery time www.cj-elec.com VF Ctot trr Test conditions Max Unit VR=75V 1 μA IF=1mA 0.715 IF=10mA 0.855 IF=50mA 1 IF=150mA 1.25 VR=0,f=1MHz 1.5 pF 6 ns IR=100μA Min Typ 75 IF= IR=10mA, Irr=0.1×IR, RL=100Ω 1 V V C,Mar,2016 PDF
Документация на BAV99S 

Author: Administrator

Дата модификации: 21.10.2014

Размер: 3.25 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)