MMBT1616A

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT1616A TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES z Audio frequency power amplifier z Medium speed switching MARKING:16A MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter 1. BASE Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Volta...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ 2SD1616AG-G-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —
A+ 2SD1898G-Q-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —
A+ 2SD1816L-S-TN3-R (UTC)
 
— — — — —
A+ 2SD1816L-S-TM3-T (UTC)
 
TO-251-3
 
 — — — —
A+ 2SD1616AG-L-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —
A+ 2SD1616AG-G-T92-K (UTC)
 
— 1000 шт — — — —
A+ 2SD1616AG-G-T92-B (UTC)
 
— — — — —
A+ PZT1816G-S-AA3-R (UTC)
 
— — — — —
A+ LBTN660Z4TZHG (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ 2SD2391 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SD1616A TO-92 (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ 2SD1616A 200-400 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ 2SD1616A (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ MMBT1616A SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT1616A TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES z Audio frequency power amplifier z Medium speed switching MARKING:16A MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter 1. BASE Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 1 A PC Collector Power Dissipation 350 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 357 ℃/W -55～+150 ℃ RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range 2. EMITTER 3. COLLECTOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=10µA, IE=0 120 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=2mA, IB=0 60 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10µA, IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB= 60V, IE=0 100 nA Emitter cut-off current IEBO VEB=6V, IC=0 100 nA hFE(1) VCE=2V, IC=100mA 135 hFE(2) VCE=2V, IC=1A 81 DC current gain conditions Min Typ Max Unit 600 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=1A, IB=50mA 0.3 V Collector-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=1A, IB=50mA 1.2 V 0.7 V Base-emitter voltage VBE Transition frequency fT Collector output capacitance VCE=2V, IC=50mA 0.6 VCE=2V,IC=100mA, f=100MHz 100 MHz VCB=10V, IE=0, f=1MHz Cob 19 pF CLASSIFICATION OF hFE(1) RANK Y G L RANGE 135~270 200~400 300~600 www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMBT1616A 

Microsoft Word - MMBT1616A SOT-23_A_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 677.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)