MMBTA42

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBTA42 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURES z High breakdown voltage z Low collector-emitter saturation voltage z Complementary to MMBTA92 (PNP) 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Marking: 1D 1D= Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device. 1D MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBTA42 (YJ)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
P= LMBTA42LT1G (LRC)
 
— 1050 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= MMBTA42 (SHIKUES)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMBTA42Q (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBTA42 (YOUTAI)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA42 100-200 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBTA42 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURES z High breakdown voltage z Low collector-emitter saturation voltage z Complementary to MMBTA92 (PNP) 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Marking: 1D 1D= Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device. 1D MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Value Unit VCBO Collector-Base Voltage Parameter 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage 300 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.3 A ICM Collector Current-Peak 0.5 A PC Collector Power dissipation 0.35 W RӨJA Thermal Resistance, junction to Ambient 357 ℃/W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= 100μA,IE=0 300 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= 1mA, IB=0 300 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= 100μA, IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=200V, IE=0 0.25 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= 5V, IC=0 0.1 μA hFE(1) VCE= 10V, IC= 1mA 60 hFE(2) VCE= 10V, IC=10mA 100 hFE(3) VCE=10V, IC=30mA 60 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=20mA, IB= 2mA 0.2 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC= 20mA, IB=2mA 0.9 V DC current gain fT Transition frequency www.jscj-elec.com 1 VCE= 20V, IC= 10mA, f=30MHz 50 200 MHz Rev. - 2.1 PDF
Документация на MMBTA42 

Microsoft Word - MMBTA42_SOT-23_.doc

Дата модификации: 19.05.2021

Размер: 1.31 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)