MMDT3906

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors MMDT3906 DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) SOT-363 FEATURES ·Epitaxial planar die construction ·Ideal for low power amplification and switching MARKING:K3N MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Units VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -40...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2N4403 (DC)
 

2N4403 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 1000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT3906T (JSCJ)
 

MMBT3906T (ONS-FAIR) 		SOT-523 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ MMBT4403 (JSCJ)
 

MMBT4403 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
—
 
 — — —
A+ 2SB1440 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors MMDT3906 DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) SOT-363 FEATURES ·Epitaxial planar die construction ·Ideal for low power amplification and switching MARKING:K3N MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Units VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -40 V VEBO -5 V IC Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous -0.2 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W RθJA Thermal Resistance. Junction to Ambient Air 625 ℃/W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-10μA,IE=0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-10μA,IC=0 -5 V Collector cut-off current ICEX VCE=-30V,VEB(OFF)=-3V -50 nA Base cut-off current IEBO VEB=-5V,IC=0 -50 nA hFE(1) VCE=-1V,IC=-0.1mA 60 hFE(2) VCE=-1V,IC=-1mA 80 hFE(3) VCE=-1V,IC=-10mA 100 hFE(4) VCE=-1V,IC=-50mA 60 30 DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency hFE(5) VCE=-1V,IC=-100mA VCE(sat)1 IC=-10mA,IB=-1mA -0.25 V VCE(sat)2 IC=-50mA,IB=-5mA -0.4 V VBE(sat)1 IC=-10mA,IB=-1mA -0.85 V VBE(sat)2 IC=-50mA,IB=-5mA -0.95 V fT Collector output capacitance Cob Noise figure NF Delay time td Rise time tr Storage time tS Fall time tf www.jscj-elec.com 300 VCE=-20V,IC=-10mA,f=100MHz -0.65 250 MHz VCB=-5V,IE=0,f=1MHz VCE=-5V,Ic=-0.1mA,f=1KHz,Rg=1KΩ 4.5 pF 4 dB VCC=-3V, VBE=0.5V IC=-10mA , IB1=-IB2=-1mA 35 nS 35 nS 225 nS 75 nS VCC=-3V, IC=-10mA IB1=-IB2=- 1mA 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMDT3906 

Microsoft Word - MMDT3906_SOT-363_.doc

Дата модификации: 29.06.2020

Размер: 1.19 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)