Вход / Регистрация

MMDT4403

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-EncapsulatTransistors MMDT4403 DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) SOT-363 FEATURES z Epitaxial Planar Die Construction z Ideal for Low Power Amplification and Switching MRKING:K2T Maximum Ratings (Ta=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Volta...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2N4403 (DC)
 

2N4403 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ 2SB1440 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ MMBT4403 (JSCJ)
 

MMBT4403 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ BC327 (JSCJ)
 

BC327 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 2000 шт
 
 — — —
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
—
 
 — — —
A+ 2N4403 (JSCJ)
 

2N4403 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 2000 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, PNP

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-EncapsulatTransistors MMDT4403 DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) SOT-363 FEATURES z Epitaxial Planar Die Construction z Ideal for Low Power Amplification and Switching MRKING:K2T Maximum Ratings (Ta=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -40 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -0.6 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W RθJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 625 TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55 ~ +150 ℃/W ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage = IC=-100μA , IE 0 V(BR)CBO -40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO = IC= -1mA , IB 0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO= IE=-100μA, IC 0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-35V, IE=0 -0.1 μA Emitter cut-off current = IEBO VEB= -5V, IC 0 -0.1 μA DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage hFE(1) VCE= -1V, = IC -0.1mA 30 hFE(2) VCE= -1V, = IC -1mA 60 hFE(3) VCE= -1= V, IC -10mA 100 hFE(4) VCE= -2 V, = IC -150mA 100 hFE(5) VCE= -2= V, IC -500mA 20 VCE(sat)1 = IC=-150 mA, IB -15mA -0.4 V VCE(sat)2 = IC=-500 mA, IB -50mA -0.75 V -0.95 V -1.3 V VBE(sat)1 IC= = -150 mA, IB -15mA fT Output capacitance Cob = = VCB=-10V, IE 0,f 1MHz Delay time td Rise time tr Storage time tS www.jscj-elec.com -0.75 VBE(sat)2 = IC= -500 mA, IB -50mA Transition frequency Fall time 300 tf VCE= -10V, IC=-20mA,f = 100MHz 200 MHz 8.5 pF VCC=-30V, VBE=-2V,IC=-150mA , IB1=-15mA 15 nS 20 nS VCC=-30V, IC=-150mA -15mA 225 nS 30 nS B1=- IB2= 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMDT4403 

Microsoft Word - MMDT4403_SOT-363_.doc

Дата модификации: 29.06.2020

Размер: 1.42 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)