Вход / Регистрация

US1D

JSCJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1 В, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- UG2DA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- US1D (YJ)
 

US1D (DIODES) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM)
A- ES1D (YJ)
 

ES1D (DIODES) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES2DA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon
A- HS1D (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- MURS120 (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- MURS220A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- MURS120 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A- US1D (DC)
 

US1D (DIODES) 		DO214AC в ленте 1800 шт —
A- ES1D (DC)
 

ES1D (DIODES) 		DO214AC в ленте 7500 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES1D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — —
A- ES2D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A- GS1D (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS120A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS120AQ (YJ)
 
— 60 шт
 
 — Surface Mount Schottky Rectifier
A- SS220A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES1DW (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
A- HS2DA (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM)
A- UG1D (YJ)
 
DO214AC 5000 шт — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SMAG Plastic-Encapsulate Diodes US1A THRU US1M High Efficient Rectifier Diodes Features SMAG ●IF(AV) 1A ● VRRM 50V-1000V ●High surge current capability ● Polarity: Color band denotes cathode Applications ● Rectifier Marking ● US1X X : From A To M Limiting Values(Absolute Maximum Rating) Item Symbol Unit Test Conditions A B D US1 G J K M Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS Voltage V RMS V 35 70 140 280 420 560 700 Average Forward Current IF(AV) A 60Hz Half-sine wave， Resistance load，T L=75℃ 1.0 Surge(Non-repetitive)Forward Current IFSM A 60Hz Half-sine wave， 1 cycle，Ta=25℃ 30 Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG ℃ K M -55 ~ +150 Electrical Characteristics (T=25℃ Unless otherwise specified） US1 Symbol Unit Peak Forward Voltage VF V Maximum reverse recovery time trr ns Item Peak Reverse Current Thermal Resistance(Typical) IRRM1 IRRM2 RθJ-A RθJ-L μA ℃/ W Test Condition IF =1.0A B D 1.0 IF=0.5A,IR=1.0A,Irr=0.25A VRM=VRRM A G 1.3 50 J 1.7 75 Ta =25℃ 5 Ta =125℃ 50 Between junction and ambient 55 Between junction and terminal 25 Notes: Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pad areas www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.1 PDF
Документация на US1A 

Subject:

Дата модификации: 06.05.2020

Размер: 1.99 Мб

4 стр.

    1614

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)