MURS120

SUNCO
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 920 мВ, ёмкостью перехода 17 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MURA120T3G (JSMICRO)
 
— в ленте 2000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P- MURS120 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — — —
P- MURS120B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P- MURS120 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
A- ES2D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A- UG2DA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- US1D (YJ)
 

US1D (DIODES) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM)
A- ES1D (YJ)
 

ES1D (DIODES) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES2DA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon
A- HS1D (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- US1D (DC)
 

US1D (DIODES) 		DO214AC в ленте 1800 шт —
A- ES1D (DC)
 

ES1D (DIODES) 		DO214AC в ленте 7500 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES1D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — —
A- ES2DAQ (YJ)
 
DO214AC Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
A- MURS220A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- ES2DA (TSC)
 
DO214AC 7500 шт
 
 — —
A- US2D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC
 
 — — — — —
A- UG1D (YJ)
 
DO214AC 5000 шт — —
A- US1D (JSCJ)
 

US1D (DIODES) 		DO214AC
 
 — — — —
A- SS120AQ (YJ)
 
— 60 шт
 
 — Surface Mount Schottky Rectifier
A- SS120A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- HS2DA (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM)
A- SS220A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ESH2DA (TSC)
 
DO214AC 7500 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MURS120 THRU MURS160 COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super Fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AC(SMA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code MURS120 MURS140 MURS160 MURS120 MURS140 MURS160 200 400 600 VRRM V IO A 1.0 Surge(non-repetitive)forward current @ 60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 30 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature Tj ℃ -55~+150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS MURS120 Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=1.0A 0.92 1.25 Maximum reverse recovery time TRR ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 25 50 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode@ VRM=VRRM IRRM μA PARAMETER MURS140 Ta =25℃ 5.0 Ta =125℃ 50 MURS160 1/5 S-S1208 Rev.1.3,05-Dec-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MURS120 

Microsoft Word - MURS120 THRU MURS160

Дата модификации: 05.12.2019

Размер: 238.5 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    19 июля 2023
    новость

    Компоненты JSCJ для солнечных микроинверторов

    Благодаря энергетической революции идет активное продвижение экологически чистых и безопасных возобновляемых источников энергии с малым выбросом углеродов. Одним из них является солнечная энергия. Эффективность ее использования зависит в том числе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)